EP3SE50F484C3N vs EP3SE50F484C3G तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP3SE50F484C3N द्वारा Intel और EP3SE50F484C3G द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

विशेषता तुलना

पैरामीटर EP3SE50F484C3N EP3SE50F484C3G
ब्रांड Intel Intel
श्रेणी FPGA & CPLD FPGA & CPLD
लाइफसाइकिल स्थिति Obsolete NRND
Family Stratix III E Stratix III E
Device Logic Elements 47,500 —
Logic Array Blocks (LABs) 1,900 —
Adaptive Logic Modules (ALMs) 18,750 19,000
Embedded Memory (Bits) 5,760,000 —
User I/Os 296 —
Maximum Internal Frequency 717 MHz (typical); 800 MHz per DigChip —
Process Technology TSMC 40 nm low-power CMOS —
पैकेज 484-ball FBGA (FCBGA), 1.0 mm pitch 484-ball FCBGA (F484), 1.0 mm pitch
सप्लाई वोल्टेज Core and I/O voltages per Stratix III E datasheet —
ऑपरेटिंग तापमान 0C to +85 C (commercial, C suffix) 0C to +85C (commercial, "C")
माउंटिंग प्रकार Surface Mount (BGA) Surface Mount
MSL स्तर 3 (per JEDEC J-STD-020 for FCBGA packages) —
RoHS स्थिति Lead-free (per DigiKey listing) Compliant (lead-free)
Configuration Mode Passive Serial, Fast Passive Parallel, Fast Active Serial, JTAG —
Design Software Intel Quartus II (Stratix III support) —
लाइफसाइकिल स्थिति Obsolete (per Worldway listing 2026-04-05) —
Logic Elements — 47,500
Total Embedded Memory — 5,760,000 bits (5.76 Mbit)
M9K Memory Blocks — 320 (2,304 Kbits)
M144K Memory Blocks — 12 (1,728 Kbits)
User I/O Pins — 296
18x18 Multipliers — 384
PLLs — 4
Global Clock Networks — 16
Speed Grade — C3
Process Node — 65 nm TSMC low-power
Core Voltage — 1.1 V

डेटाशीट और संसाधन

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