H58G56AK6QX032N vs H58G66CK8BX147N مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H58G56AK6QX032N بواسطة SK hynix و H58G66CK8BX147N بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل H58G56AK6QX032N H58G66CK8BX147N
العلامة التجارية SK hynix SK hynix
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة LPDDR5 SDRAM LPDDR5X SDRAM
Density 32Gb (4GB) 64 Gbit (8 GB)
التنظيم 512M x 64 x8 (single channel)
معدل البيانات 6400 Mbps per pin —
Bus Width x16 (x64 variant per sourcing data) —
Core Voltage (VDD) 0.5 V —
I/O Voltage (VDDQ) 0.5 V —
Interface Voltage (VDD2) 1.8 V / 1.05 V —
العلبة FBGA-315 315-ball FBGA
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Grade Automotive —
Applications Data storage, firmware boot, embedded logging, industrial controllers, computing modules —
Standard JEDEC LPDDR5 —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS Status]
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Reflow/MSL Rating [DATA_NEEDED: MSL level] —
Maximum Data Rate — 8533 Mbps
Supply Voltage Domain — 0.5 V to 1.8 V
Core Voltage Class — 1.05 V (LPDDR5/LPDDR5X class)
Standard Compliance — JEDEC-compliant single-channel SDRAM (per SK hynix 315-ball FBGA specification)
الواجهة — LPDDR5/LPDDR5X protocol
Channel Configuration — Single channel (x8 or x16 capable family)
Power Management — Dynamic voltage and frequency scaling (DVFSC/DVFSQ)
Application Domain — Smartphone, AI edge, server-class mobile computing
Refresh Scheme — LPDDR5 per-bank / all-bank refresh

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر