H5AN4G8NBJR-VKI vs H5AN4G8NBJR-RDC مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN4G8NBJR-VKI بواسطة SK hynix و H5AN4G8NBJR-RDC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKI H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل H5AN4G8NBJR-VKI H5AN4G8NBJR-RDC
العلامة التجارية SK hynix SK hynix
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gb 4 Gbit
التنظيم 512M x 8 512M x 8
معدل البيانات 2666 Mbps [DATA_NEEDED: speed grade Mbps]
جهد التغذية 1.2 V [DATA_NEEDED: VDD supply voltage]
I/O Voltage 1.2 V (SSTL12) —
العلبة FBGA-78 78-ball FBGA
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Speed Grade V (2666) —
Temperature Grade Industrial (I suffix) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Architecture CMOS, 8n prefetch, bank groups —
Termination On-Die Termination (ODT) On-Die Termination (ODT)
DBI Support Yes (Data Bus Inversion / DM) —
زمن الوصول CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: Operating Temperature] —
Refresh [DATA_NEEDED: Refresh specification] Auto-refresh and self-refresh
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant)
الواجهة — DDR4 (Double Data Rate IV)
Bank Architecture — 8 banks with 4 bank groups (x8)
Process Technology — CMOS
Manufacturer — SK hynix
Family Series — H5AN4G4/8/6NBJR

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر