H5AN8G6NCJR-RDC vs H5AN8G6NCJR-VKC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN8G6NCJR-RDC بواسطة SK hynix و H5AN8G6NCJR-VKC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5AN8G6NCJR-RDC | H5AN8G6NCJR-VKC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | DRAM |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| حالة المخزون | In Stock | — |
| سعر الوحدة (USD) | $19.69 | — |
| Memory Density | 8 Gb (8589934592 bit) | — |
| التنظيم | 512M x 16 | — |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Technology | CMOS | — |
| Package Code | TFBGA (PBGA96) | — |
| Package Shape | Rectangular | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperature Grade | OTHER | — |
| Data Rate Family | [DATA_NEEDED: specific speed grade Mbps] | — |
| Supply Voltage Class | [DATA_NEEDED: nominal VDD per datasheet speed bin] | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: min/max C per -RDC bin] | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| حالة RoHS | Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant, per H5AN8G6 family datasheet) | Compliant |
| حجم الذاكرة | — | 8 Gbit |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| معدل البيانات | — | 2666 Mbps (MT/s) |
| Clock Frequency | — | 1.333 GHz |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.14 V to 1.26 V |
| الواجهة | — | Parallel |
| درجة حرارة التشغيل | — | 0C to +95C |
| العلبة | — | FBGA-96 |
| Standby Current | — | 28 mA |
| Operating Current | — | 45 mA |
| الميزات | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, write leveling, CRC, dynamic ODT, ZQ calibration |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes (per datasheet description) |
| حالة دورة الحياة | — | Active |