H5AN8G6NCJR-RDC vs H5AN8G6NCJR-VKC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN8G6NCJR-RDC توسط SK hynix و H5AN8G6NCJR-VKC توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | H5AN8G6NCJR-RDC | H5AN8G6NCJR-VKC |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | SK hynix |
| دسته‌بندی | Memory ICs | DRAM |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| وضعیت موجودی | In Stock | — |
| قیمت واحد (USD) | $19.69 | — |
| Memory Density | 8 Gb (8589934592 bit) | — |
| سازمان | 512M x 16 | — |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Technology | CMOS | — |
| Package Code | TFBGA (PBGA96) | — |
| Package Shape | Rectangular | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperature Grade | OTHER | — |
| Data Rate Family | [DATA_NEEDED: specific speed grade Mbps] | — |
| Supply Voltage Class | [DATA_NEEDED: nominal VDD per datasheet speed bin] | — |
| محدوده دمای کاری | [DATA_NEEDED: min/max C per -RDC bin] | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| وضعیت RoHS | Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant, per H5AN8G6 family datasheet) | Compliant |
| اندازه حافظه | — | 8 Gbit |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| نرخ داده | — | 2666 Mbps (MT/s) |
| Clock Frequency | — | 1.333 GHz |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.14 V to 1.26 V |
| رابط | — | Parallel |
| دمای کاری | — | 0C to +95C |
| بسته‌بندی | — | FBGA-96 |
| Standby Current | — | 28 mA |
| Operating Current | — | 45 mA |
| ویژگی‌ها | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, write leveling, CRC, dynamic ODT, ZQ calibration |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes (per datasheet description) |
| وضعیت چرخه عمر | — | Active |