H5AN8G8NCJR-RDC vs H5AN8G8NCJR-UHC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN8G8NCJR-RDC بواسطة SK hynix و H5AN8G8NCJR-UHC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5AN8G8NCJR-RDC | H5AN8G8NCJR-UHC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb (1 GB) | 8 Gb |
| التنظيم | x8 | 1G x 8 |
| معدل البيانات | up to 2666 Mbps | — |
| جهد التغذية | 1.2 V (VDD) | — |
| الواجهة | DDR4 (JEDEC standard) | — |
| Bank Architecture | 4 bank groups x 4 banks | — |
| Burst Length | BL8 | — |
| العلبة | 78-ball FBGA | FBGA-78 |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] | — |
| Generation | C-die family (NCJR) | — |
| Lead Free | Yes | — |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| Speed Grade | — | DDR4-2400 (PC4-19200) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| RoHS Code | — | Yes |
| REACH Compliance | — | Yes (per distributor record) |
| Lead-Free | — | Yes (family documented as Lead-Free & Halogen-Free) |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |
| Part Life Cycle Code | — | Active |
| Access Type | — | Synchronous, both clock edges (DDR) |
| Memory Configuration | — | Bank-group architecture DDR4 |
| Die Revision | — | CJR (C-die family) |
| Manufacturer | — | SK hynix Inc. |