H5AN8G8NCJR-RDC vs H5ANAG8NBJR-RDC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN8G8NCJR-RDC بواسطة SK hynix و H5ANAG8NBJR-RDC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5AN8G8NCJR-RDC | H5ANAG8NBJR-RDC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | DRAM |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb (1 GB) | 16 Gbit |
| التنظيم | x8 | 2G x 8 |
| معدل البيانات | up to 2666 Mbps | — |
| جهد التغذية | 1.2 V (VDD) | — |
| الواجهة | DDR4 (JEDEC standard) | SSTL12 |
| Bank Architecture | 4 bank groups x 4 banks | — |
| Burst Length | BL8 | — |
| العلبة | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Generation | C-die family (NCJR) | — |
| Lead Free | Yes | — |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant (lead-free PBGA per family product data) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Speed Grade (suffix R) | — | DDR4-2666 class |
| Refresh | — | Self-refresh and auto-refresh (8K/64ms class per family datasheet) |
| Bank Groups | — | 4 (per 16Gb DDR4 family datasheet) |
| Data Strobe | — | DQS with read/write training |
| Data Bus Inversion | — | Supported (DBI) |
| حالة دورة الحياة | — | Active |