H5AN8G8NCJR-RDC vs H5ANAG8NBJR-RDC השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של H5AN8G8NCJR-RDC מאת SK hynix ו H5ANAG8NBJR-RDC מאת SK hynix. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | H5AN8G8NCJR-RDC | H5ANAG8NBJR-RDC |
|---|---|---|
| מותג | SK hynix | SK hynix |
| קטגוריה | Memory ICs | DRAM |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb (1 GB) | 16 Gbit |
| ארגון | x8 | 2G x 8 |
| קצב נתונים | up to 2666 Mbps | — |
| מתח אספקה | 1.2 V (VDD) | — |
| ממשק | DDR4 (JEDEC standard) | SSTL12 |
| Bank Architecture | 4 bank groups x 4 banks | — |
| Burst Length | BL8 | — |
| מארז | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| השהיית CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Generation | C-die family (NCJR) | — |
| Lead Free | Yes | — |
| נטול הלוגנים | Yes | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant (lead-free PBGA per family product data) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Speed Grade (suffix R) | — | DDR4-2666 class |
| Refresh | — | Self-refresh and auto-refresh (8K/64ms class per family datasheet) |
| Bank Groups | — | 4 (per 16Gb DDR4 family datasheet) |
| Data Strobe | — | DQS with read/write training |
| Data Bus Inversion | — | Supported (DBI) |
| סטטוס מחזור חיים | — | Active |