H5ANAG4NBJR-UHC vs H5AN4G8NBJR-UHC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5ANAG4NBJR-UHC بواسطة SK hynix و H5AN4G8NBJR-UHC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5ANAG4NBJR-UHC | H5AN4G8NBJR-UHC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | SK hynix |
| الفئة | DRAM | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gbit |
| التنظيم | 256M x16 | 512M x 8 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) | — |
| Clock / Data Rate | 1.6 GHz | — |
| العلبة | FBGA-96 (PBGA96) | TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) |
| درجة حرارة التشغيل | -40C to +95C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| الواجهة | CMOS, DDR4 (double data rate) | DDR4 (JEDEC) |
| Data Mask (DM) | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| On-Die Termination (ODT) | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| نوع التركيب | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant (Rohs Code: Yes) |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency / speed bin detail] | [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] |
| معدل البيانات | — | 2400 Mbps (PC2400) |
| جهد التغذية | — | 1.2 V |
| Technology | — | CMOS DRAM |
| Lifecycle Code | — | Active |
| REACH Compliance | — | Compliant |
| Manufacturer | — | SK Hynix Inc. |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] |