H5ANAG4NBJR-UHC vs H5AN4G8NBJR-UHC Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci H5ANAG4NBJR-UHC disebabkan oleh SK hynix dan H5AN4G8NBJR-UHC disebabkan oleh SK hynix. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC ✓ Aktif

Pengandingan Spesifikasi

Parametr H5ANAG4NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-UHC
Merek SK hynix SK hynix
Kategori DRAM Memory ICs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Jenis Ingatan DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gbit
Organisasi 256M x16 512M x 8
Supply Voltage (VDD) 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) —
Clock / Data Rate 1.6 GHz —
Kemasan FBGA-96 (PBGA96) TFBGA-78 (11 x 7.5 mm)
Suhu Operasi -40C to +95C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Antaramuka CMOS, DDR4 (double data rate) DDR4 (JEDEC)
Data Mask (DM) Yes —
Asynchronous Reset Yes —
On-Die Termination (ODT) Dynamic ODT —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
Jenis Pemasangan Surface Mount (BGA) Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant (Rohs Code: Yes)
Latensi CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency / speed bin detail] [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin]
Kadar Data — 2400 Mbps (PC2400)
Tegangan Pemberi Arus — 1.2 V
Technology — CMOS DRAM
Lifecycle Code — Active
REACH Compliance — Compliant
Manufacturer — SK Hynix Inc.
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support]

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga