H5ANAG4NBJR-UHC vs H5AN4G8NBJR-UHC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5ANAG4NBJR-UHC توسط SK hynix و H5AN4G8NBJR-UHC توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | H5ANAG4NBJR-UHC | H5AN4G8NBJR-UHC |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | SK hynix |
| دسته‌بندی | DRAM | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gbit |
| سازمان | 256M x16 | 512M x 8 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) | — |
| Clock / Data Rate | 1.6 GHz | — |
| بسته‌بندی | FBGA-96 (PBGA96) | TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) |
| دمای کاری | -40C to +95C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| رابط | CMOS, DDR4 (double data rate) | DDR4 (JEDEC) |
| Data Mask (DM) | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| On-Die Termination (ODT) | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| نوع نصب | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant (Rohs Code: Yes) |
| تأخیر CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency / speed bin detail] | [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] |
| نرخ داده | — | 2400 Mbps (PC2400) |
| ولتاژ تغذیه | — | 1.2 V |
| Technology | — | CMOS DRAM |
| Lifecycle Code | — | Active |
| REACH Compliance | — | Compliant |
| Manufacturer | — | SK Hynix Inc. |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] |