H5ANAG8NBJR-RDC vs H5AN8G8NCJR-RDC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5ANAG8NBJR-RDC بواسطة SK hynix و H5AN8G8NCJR-RDC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5ANAG8NBJR-RDC | H5AN8G8NCJR-RDC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | SK hynix |
| الفئة | DRAM | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | 8 Gb (1 GB) |
| التنظيم | 2G x 8 | x8 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| الواجهة | SSTL12 | DDR4 (JEDEC standard) |
| Speed Grade (suffix R) | DDR4-2666 class | — |
| العلبة | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Refresh | Self-refresh and auto-refresh (8K/64ms class per family datasheet) | — |
| Bank Groups | 4 (per 16Gb DDR4 family datasheet) | — |
| Data Strobe | DQS with read/write training | — |
| Data Bus Inversion | Supported (DBI) | — |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] |
| حالة RoHS | Compliant (lead-free PBGA per family product data) | Compliant |
| حالة دورة الحياة | Active | — |
| معدل البيانات | — | up to 2666 Mbps |
| جهد التغذية | — | 1.2 V (VDD) |
| Bank Architecture | — | 4 bank groups x 4 banks |
| Burst Length | — | BL8 |
| Generation | — | C-die family (NCJR) |
| Lead Free | — | Yes |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |