H5ANAG8NBJR-RDC vs H5AN8G8NCJR-RDC तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5ANAG8NBJR-RDC द्वारा SK hynix और H5AN8G8NCJR-RDC द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | H5ANAG8NBJR-RDC | H5AN8G8NCJR-RDC |
|---|---|---|
| ब्रांड | SK hynix | SK hynix |
| श्रेणी | DRAM | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | 8 Gb (1 GB) |
| संगठन | 2G x 8 | x8 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| इंटरफ़ेस | SSTL12 | DDR4 (JEDEC standard) |
| Speed Grade (suffix R) | DDR4-2666 class | — |
| पैकेज | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Refresh | Self-refresh and auto-refresh (8K/64ms class per family datasheet) | — |
| Bank Groups | 4 (per 16Gb DDR4 family datasheet) | — |
| Data Strobe | DQS with read/write training | — |
| Data Bus Inversion | Supported (DBI) | — |
| CAS लेटेंसी | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] |
| RoHS स्थिति | Compliant (lead-free PBGA per family product data) | Compliant |
| लाइफसाइकिल स्थिति | Active | — |
| डेटा दर | — | up to 2666 Mbps |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 1.2 V (VDD) |
| Bank Architecture | — | 4 bank groups x 4 banks |
| Burst Length | — | BL8 |
| Generation | — | C-die family (NCJR) |
| Lead Free | — | Yes |
| हैलोजन फ्री | — | Yes |