H5ANAG8NBJR-RDC vs H5AN8G8NCJR-RDC השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של H5ANAG8NBJR-RDC מאת SK hynix ו H5AN8G8NCJR-RDC מאת SK hynix. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | H5ANAG8NBJR-RDC | H5AN8G8NCJR-RDC |
|---|---|---|
| מותג | SK hynix | SK hynix |
| קטגוריה | DRAM | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | 8 Gb (1 GB) |
| ארגון | 2G x 8 | x8 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| ממשק | SSTL12 | DDR4 (JEDEC standard) |
| Speed Grade (suffix R) | DDR4-2666 class | — |
| מארז | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Refresh | Self-refresh and auto-refresh (8K/64ms class per family datasheet) | — |
| Bank Groups | 4 (per 16Gb DDR4 family datasheet) | — |
| Data Strobe | DQS with read/write training | — |
| Data Bus Inversion | Supported (DBI) | — |
| השהיית CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] |
| טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] |
| סטטוס RoHS | Compliant (lead-free PBGA per family product data) | Compliant |
| סטטוס מחזור חיים | Active | — |
| קצב נתונים | — | up to 2666 Mbps |
| מתח אספקה | — | 1.2 V (VDD) |
| Bank Architecture | — | 4 bank groups x 4 banks |
| Burst Length | — | BL8 |
| Generation | — | C-die family (NCJR) |
| Lead Free | — | Yes |
| נטול הלוגנים | — | Yes |