H5ANAG8NBJR-RDC vs H5AN8G8NCJR-RDC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5ANAG8NBJR-RDC توسط SK hynix و H5AN8G8NCJR-RDC توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بستهبندی، وضعیت چرخه عمر، قیمتگذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | H5ANAG8NBJR-RDC | H5AN8G8NCJR-RDC |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | SK hynix |
| دستهبندی | DRAM | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | 8 Gb (1 GB) |
| سازمان | 2G x 8 | x8 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| رابط | SSTL12 | DDR4 (JEDEC standard) |
| Speed Grade (suffix R) | DDR4-2666 class | — |
| بستهبندی | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Refresh | Self-refresh and auto-refresh (8K/64ms class per family datasheet) | — |
| Bank Groups | 4 (per 16Gb DDR4 family datasheet) | — |
| Data Strobe | DQS with read/write training | — |
| Data Bus Inversion | Supported (DBI) | — |
| تأخیر CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] |
| وضعیت RoHS | Compliant (lead-free PBGA per family product data) | Compliant |
| وضعیت چرخه عمر | Active | — |
| نرخ داده | — | up to 2666 Mbps |
| ولتاژ تغذیه | — | 1.2 V (VDD) |
| Bank Architecture | — | 4 bank groups x 4 banks |
| Burst Length | — | BL8 |
| Generation | — | C-die family (NCJR) |
| Lead Free | — | Yes |
| بدون هالوژن | — | Yes |