H5TC4G63AFR-PBI vs H5TC4G63CFR-PBA مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5TC4G63AFR-PBI بواسطة SK hynix و H5TC4G63CFR-PBA بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

SK hynix
H5TC4G63AFR-PBI H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI Obsolete
SK hynix
H5TC4G63CFR-PBA H5TC4G63CFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-PBA ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل H5TC4G63AFR-PBI H5TC4G63CFR-PBA
العلامة التجارية SK hynix SK hynix
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة Obsolete نشط
سعر الوحدة (USD) — $6.23
نوع الذاكرة DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
التنظيم 256M x 16 256M x 16
Total Memory Size 4 Gb —
معدل البيانات DDR3-1600 (PC3L-12800) —
جهد التغذية 1.35 V —
Number of Banks 8 —
Burst Length 8 (BL8) —
زمن الوصول CAS Programmable —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Refresh Period 7.8 us at 85°C —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40°C to +95°C —
العلبة 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) 96-ball FBGA (PBGA96)
نوع التركيب Surface Mount —
Number of Terminals 96 —
حالة RoHS Compliant —
Density — 4Gb
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V +0.100/-0.067V
Clock Input — Fully differential (CK, CK)
Data Strobe — Differential (DQS, DQS)
On-chip DLL — Yes
Data Mask (DM) — Yes
Auto Precharge — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Dynamic ODT — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
Asynchronous Reset — Yes
RoHS — Compliant
خالٍ من الهالوجين — Yes
Lead-Free — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر