H5TC4G63AFR-PBI vs H5TC4G63CFR-PBA Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng H5TC4G63AFR-PBI sa pamamagitan ng SK hynix at H5TC4G63CFR-PBA sa pamamagitan ng SK hynix. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Pagsanggunian na paghahambing
| Parametro | H5TC4G63AFR-PBI | H5TC4G63CFR-PBA |
|---|---|---|
| Brand | SK hynix | SK hynix |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Obsolete | Aktibo |
| Presyo ng Yunit (USD) | — | $6.23 |
| Uri ng Memory | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Organisasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Total Memory Size | 4 Gb | — |
| Rate ng Data | DDR3-1600 (PC3L-12800) | — |
| Volte ng Pagbibigay | 1.35 V | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| Latensya ng CAS | Programmable | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Refresh Period | 7.8 us at 85°C | — |
| Hanay ng Temperature na Operasyon | -40°C to +95°C | — |
| Packhaging | 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| Uri ng Pagpapasok | Surface Mount | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Tindminan RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 4Gb |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V +0.100/-0.067V |
| Clock Input | — | Fully differential (CK, CK) |
| Data Strobe | — | Differential (DQS, DQS) |
| On-chip DLL | — | Yes |
| Data Mask (DM) | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |
| Wala sa Halogen | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |