H5TC4G63AFR-PBI vs H5TC4G63CFR-PBA השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של H5TC4G63AFR-PBI מאת SK hynix ו H5TC4G63CFR-PBA מאת SK hynix. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

SK hynix
H5TC4G63AFR-PBI H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI Obsolete
SK hynix
H5TC4G63CFR-PBA H5TC4G63CFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-PBA ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר H5TC4G63AFR-PBI H5TC4G63CFR-PBA
מותג SK hynix SK hynix
קטגוריה Memory ICs Memory ICs
סטטוס מחזור חיים Obsolete פעיל
מחיר ליחידה (USD) — $6.23
סוג זיכרון DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
ארגון 256M x 16 256M x 16
Total Memory Size 4 Gb —
קצב נתונים DDR3-1600 (PC3L-12800) —
מתח אספקה 1.35 V —
Number of Banks 8 —
Burst Length 8 (BL8) —
השהיית CAS Programmable —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Refresh Period 7.8 us at 85°C —
טווח טמפרטורת פעולה -40°C to +95°C —
מארז 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) 96-ball FBGA (PBGA96)
סוג הרכבה Surface Mount —
Number of Terminals 96 —
סטטוס RoHS Compliant —
Density — 4Gb
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V +0.100/-0.067V
Clock Input — Fully differential (CK, CK)
Data Strobe — Differential (DQS, DQS)
On-chip DLL — Yes
Data Mask (DM) — Yes
Auto Precharge — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Dynamic ODT — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
Asynchronous Reset — Yes
RoHS — Compliant
נטול הלוגנים — Yes
Lead-Free — Yes

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר