H5TC4G63AFR-PBI vs H5TC4G63CFR-PBA तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5TC4G63AFR-PBI द्वारा SK hynix और H5TC4G63CFR-PBA द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

SK hynix
H5TC4G63AFR-PBI H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI Obsolete
SK hynix
H5TC4G63CFR-PBA H5TC4G63CFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-PBA ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर H5TC4G63AFR-PBI H5TC4G63CFR-PBA
ब्रांड SK hynix SK hynix
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति Obsolete सक्रिय
यूनिट मूल्य (USD) — $6.23
मेमोरी प्रकार DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
संगठन 256M x 16 256M x 16
Total Memory Size 4 Gb —
डेटा दर DDR3-1600 (PC3L-12800) —
सप्लाई वोल्टेज 1.35 V —
Number of Banks 8 —
Burst Length 8 (BL8) —
CAS लेटेंसी Programmable —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Refresh Period 7.8 us at 85°C —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -40°C to +95°C —
पैकेज 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) 96-ball FBGA (PBGA96)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount —
Number of Terminals 96 —
RoHS स्थिति Compliant —
Density — 4Gb
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V +0.100/-0.067V
Clock Input — Fully differential (CK, CK)
Data Strobe — Differential (DQS, DQS)
On-chip DLL — Yes
Data Mask (DM) — Yes
Auto Precharge — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Dynamic ODT — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
Asynchronous Reset — Yes
RoHS — Compliant
हैलोजन फ्री — Yes
Lead-Free — Yes

डेटाशीट और संसाधन

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