H5TC4G63CFR-PBA vs H5TC4G63AFR-G7A مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5TC4G63CFR-PBA بواسطة SK hynix و H5TC4G63AFR-G7A بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

SK hynix
H5TC4G63CFR-PBA H5TC4G63CFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-PBA ✓ نشط
SK hynix
H5TC4G63AFR-G7A H5TC4G63AFR-G7A - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V | SK Hynix

H5TC4G63AFR-G7A - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V | SK Hynix

H5TC4G63AFR-G7A ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل H5TC4G63CFR-PBA H5TC4G63AFR-G7A
العلامة التجارية SK hynix SK hynix
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
سعر الوحدة (USD) $6.23 —
نوع الذاكرة DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4Gb
التنظيم 256M x 16 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V +0.100/-0.067V —
العلبة 96-ball FBGA (PBGA96) 96-ball FBGA
Clock Input Fully differential (CK, CK) —
Data Strobe Differential (DQS, DQS) —
On-chip DLL Yes —
Data Mask (DM) Yes —
Auto Precharge Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
Dynamic ODT Yes —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
Asynchronous Reset Yes —
RoHS Compliant Compliant
خالٍ من الهالوجين Yes Yes
Lead-Free Yes Yes
جهد التغذية — 1.35V
معدل البيانات — 1600 Mbps (PC3-12800)
درجة حرارة التشغيل — 0°C to 95°C (case)
زمن الوصول CAS — Programmable (e.g., 11)
Burst Length — 8 and 4
Refresh Period — 7.8us at 85°C
On-Die Termination — Supported
Process Technology — CMOS

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر