H5TC4G63CFR-PBA vs H5TC4G63AFR-G7A तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5TC4G63CFR-PBA द्वारा SK hynix और H5TC4G63AFR-G7A द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

SK hynix
H5TC4G63CFR-PBA H5TC4G63CFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-PBA ✓ सक्रिय
SK hynix
H5TC4G63AFR-G7A H5TC4G63AFR-G7A - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V | SK Hynix

H5TC4G63AFR-G7A - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V | SK Hynix

H5TC4G63AFR-G7A ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर H5TC4G63CFR-PBA H5TC4G63AFR-G7A
ब्रांड SK hynix SK hynix
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
यूनिट मूल्य (USD) $6.23 —
मेमोरी प्रकार DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4Gb
संगठन 256M x 16 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V +0.100/-0.067V —
पैकेज 96-ball FBGA (PBGA96) 96-ball FBGA
Clock Input Fully differential (CK, CK) —
Data Strobe Differential (DQS, DQS) —
On-chip DLL Yes —
Data Mask (DM) Yes —
Auto Precharge Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
Dynamic ODT Yes —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
Asynchronous Reset Yes —
RoHS Compliant Compliant
हैलोजन फ्री Yes Yes
Lead-Free Yes Yes
सप्लाई वोल्टेज — 1.35V
डेटा दर — 1600 Mbps (PC3-12800)
ऑपरेटिंग तापमान — 0°C to 95°C (case)
CAS लेटेंसी — Programmable (e.g., 11)
Burst Length — 8 and 4
Refresh Period — 7.8us at 85°C
On-Die Termination — Supported
Process Technology — CMOS

डेटाशीट और संसाधन

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