H5TC4G63CFR-XXJ vs K4B4G1646E-BYMA مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5TC4G63CFR-xxJ بواسطة SK hynix و K4B4G1646E-BYMA بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5TC4G63CFR-xxJ | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| سعر الوحدة (USD) | — | $14.32 |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| التنظيم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V + 0.100 / - 0.067V | — |
| Clock Input | Fully differential (CK, CK#) | — |
| Data Strobe | Differential (DQS, DQS#) | — |
| On-Chip DLL | Yes | — |
| DM Mask | Yes | — |
| العلبة | 96-ball FBGA | FBGA-96 |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | 0°C to 95°C (case) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| Speed Grade | [DATA_NEEDED: speed grade for -xxJ suffix] | — |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency options] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| جهد التغذية | — | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| معدل البيانات | — | 1866 Mbps/pin |
| درجة حرارة التشغيل | — | 0°C to +95°C |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| نوع التركيب | — | Surface Mount |
| عدد الدبابيس | — | 96 |