H5TC4G63CFR-XXJ vs K4B4G1646E-BYMA Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng H5TC4G63CFR-xxJ sa pamamagitan ng SK hynix at K4B4G1646E-BYMA sa pamamagitan ng Samsung Electronics. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Pagsanggunian na paghahambing
| Parametro | H5TC4G63CFR-xxJ | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Brand | SK hynix | Samsung Electronics |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Presyo ng Yunit (USD) | — | $14.32 |
| Uri ng Memory | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Organisasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V + 0.100 / - 0.067V | — |
| Clock Input | Fully differential (CK, CK#) | — |
| Data Strobe | Differential (DQS, DQS#) | — |
| On-Chip DLL | Yes | — |
| DM Mask | Yes | — |
| Packhaging | 96-ball FBGA | FBGA-96 |
| Hanay ng Temperature na Operasyon | 0°C to 95°C (case) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Wala sa Halogen | Yes | — |
| Speed Grade | [DATA_NEEDED: speed grade for -xxJ suffix] | — |
| Latensya ng CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency options] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| Volte ng Pagbibigay | — | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Rate ng Data | — | 1866 Mbps/pin |
| Temperature na Operasyon | — | 0°C to +95°C |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| Uri ng Pagpapasok | — | Surface Mount |
| Bilang ng Pins | — | 96 |