H5TC4G63CFR-XXJ vs K4B4G1646E-BYMA مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5TC4G63CFR-xxJ توسط SK hynix و K4B4G1646E-BYMA توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | H5TC4G63CFR-xxJ | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| قیمت واحد (USD) | — | $14.32 |
| نوع حافظه | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| سازمان | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V + 0.100 / - 0.067V | — |
| Clock Input | Fully differential (CK, CK#) | — |
| Data Strobe | Differential (DQS, DQS#) | — |
| On-Chip DLL | Yes | — |
| DM Mask | Yes | — |
| بسته‌بندی | 96-ball FBGA | FBGA-96 |
| محدوده دمای کاری | 0°C to 95°C (case) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| بدون هالوژن | Yes | — |
| Speed Grade | [DATA_NEEDED: speed grade for -xxJ suffix] | — |
| تأخیر CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency options] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| ولتاژ تغذیه | — | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| نرخ داده | — | 1866 Mbps/pin |
| دمای کاری | — | 0°C to +95°C |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| نوع نصب | — | Surface Mount |
| تعداد پین‌ها | — | 96 |