H5TC4G63CFR-XXJ vs K4B4G1646E-BYMA Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci H5TC4G63CFR-xxJ disebabkan oleh SK hynix dan K4B4G1646E-BYMA disebabkan oleh Samsung Electronics. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

SK hynix
H5TC4G63CFR-xxJ H5TC4G63CFR-xxJ - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-xxJ - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-xxJ ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ Aktif

Pengandingan Spesifikasi

Parametr H5TC4G63CFR-xxJ K4B4G1646E-BYMA
Merek SK hynix Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Harga Unit (USD) — $14.32
Jenis Ingatan DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb 4 Gb
Organisasi 256M x 16 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V + 0.100 / - 0.067V —
Clock Input Fully differential (CK, CK#) —
Data Strobe Differential (DQS, DQS#) —
On-Chip DLL Yes —
DM Mask Yes —
Kemasan 96-ball FBGA FBGA-96
Gambaran Suhu Operasi 0°C to 95°C (case) —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Boson Bebas Yes —
Speed Grade [DATA_NEEDED: speed grade for -xxJ suffix] —
Latensi CAS [DATA_NEEDED: CAS latency options] [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length 8 and 4 (with burst chop) [DATA_NEEDED: Burst Length]
On-Die Termination Yes —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
Tegangan Pemberi Arus — 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
Clock Frequency — 933 MHz
Kadar Data — 1866 Mbps/pin
Suhu Operasi — 0°C to +95°C
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
Jenis Pemasangan — Surface Mount
Bilangan Pin — 96

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga