IAUC100N10S5N040ATMA1 vs IPD320N20N3GATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUC100N10S5N040ATMA1 بواسطة Infineon و IPD320N20N3GATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
IAUC100N10S5N040ATMA1 - 100V 4mΩ 100A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon
IAUC100N10S5N040ATMA1 ✓ نشط
مقارنة المواصفات
| المعامل | IAUC100N10S5N040ATMA1 | IPD320N20N3GATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel, Enhancement Mode | N-Channel |
| Technology | OptiMOS-5 | OptiMOS 3 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C | 100 A (package-limited) | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 400 A | — |
| RDS(on) max @ VGS=10V | 4 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) | 167 W @ TC=25C | — |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) | 0.9 K/W | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +175C (junction) | -55 C to +175 C (Tj) |
| العلبة | PG-TDSON-8-34 (TDSON-8, 5x6 mm) Surface Mount | PG-TO252-3 (DPAK) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| مستوى MSL | MSL1 (up to 260C peak reflow) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q100 qualified | — |
| Avalanche Rating | 100% Avalanche tested | — |
| AOI Compatibility | Feasible for Automatic Optical Inspection | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 34 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 136 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 32 mOhm at VGS = 10 V |
| Gate Charge x RDS(on) FOM | — | Excellent (per datasheet) |
| Lead Plating | — | Pb-free |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| JEDEC Qualification | — | Qualified for target application |
| Channel Mode | — | Enhancement mode |
| Gate Threshold Level | — | Normal level (per datasheet title) |