IAUC100N10S5N040ATMA1 vs IPD320N20N3GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUC100N10S5N040ATMA1 tarafından Infineon ve IPD320N20N3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUC100N10S5N040ATMA1 IPD320N20N3GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel, Enhancement Mode N-Channel
Technology OptiMOS-5 OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C 100 A (package-limited) —
Pulsed Drain Current (IDM) 400 A —
RDS(on) max @ VGS=10V 4 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Maximum Power Dissipation (PD) 167 W @ TC=25C —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) 0.9 K/W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C (junction) -55 C to +175 C (Tj)
Paket PG-TDSON-8-34 (TDSON-8, 5x6 mm) Surface Mount PG-TO252-3 (DPAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi MSL1 (up to 260C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified —
Avalanche Rating 100% Avalanche tested —
AOI Compatibility Feasible for Automatic Optical Inspection —
RoHS Durumu Compliant —
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 34 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 136 W
On-Resistance RDS(on) max — 32 mOhm at VGS = 10 V
Gate Charge x RDS(on) FOM — Excellent (per datasheet)
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
JEDEC Qualification — Qualified for target application
Channel Mode — Enhancement mode
Gate Threshold Level — Normal level (per datasheet title)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin