IAUC100N10S5N040ATMA1 vs IPD320N20N3GATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUC100N10S5N040ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD320N20N3GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IAUC100N10S5N040ATMA1 IAUC100N10S5N040ATMA1 - 100V 4mΩ 100A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N10S5N040ATMA1 - 100V 4mΩ 100A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N10S5N040ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IAUC100N10S5N040ATMA1 IPD320N20N3GATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel, Enhancement Mode N-Channel
Technology OptiMOS-5 OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C 100 A (package-limited) —
Pulsed Drain Current (IDM) 400 A —
RDS(on) max @ VGS=10V 4 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Maximum Power Dissipation (PD) 167 W @ TC=25C —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) 0.9 K/W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C (junction) -55 C to +175 C (Tj)
پیکیج PG-TDSON-8-34 (TDSON-8, 5x6 mm) Surface Mount PG-TO252-3 (DPAK)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول MSL1 (up to 260C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified —
Avalanche Rating 100% Avalanche tested —
AOI Compatibility Feasible for Automatic Optical Inspection —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 34 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 136 W
On-Resistance RDS(on) max — 32 mOhm at VGS = 10 V
Gate Charge x RDS(on) FOM — Excellent (per datasheet)
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
JEDEC Qualification — Qualified for target application
Channel Mode — Enhancement mode
Gate Threshold Level — Normal level (per datasheet title)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں