IAUC41N06S5L100ATMA1 vs IAUCN10S7N021ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUC41N06S5L100ATMA1 بواسطة Infineon و IAUCN10S7N021ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IAUC41N06S5L100ATMA1 IAUC41N06S5L100ATMA1 - 60V 41A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC41N06S5L100ATMA1 - 60V 41A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC41N06S5L100ATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IAUC41N06S5L100ATMA1 IAUCN10S7N021ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Technology OptiMOS 5 (Trench MOSFET) OptiMOS™ 7 (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) 41 A —
Power Dissipation (PD, TC) 42 W —
On-State Resistance (RDS(on)) max 10 mOhm at VGS=10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: max VGS rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +175C —
العلبة PG-TDSON-8-33 (TDSON-8, 5x6 mm) PG-TDSON-8-53 (SSO8, 5x6 mm) with exposed pad
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101 automotive grade) —
حالة RoHS Compliant Compliant
Interconnect Copper clip (low-inductance) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 175 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM]
RDS(on) max @ VGS=10 V — 2.1 mΩ
Gate-Source Threshold (VGS(th)) typ — 3.2 V
Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10 V — 105 nC
Input Capacitance (Ciss) — 2.98 nF
Output Capacitance (Coss) — 32 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 7.153 nF
Power Dissipation (Pd) @ Tc — 217 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 °C to +175 °C
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر