IAUC41N06S5L100ATMA1 vs IAUCN10S7N021ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUC41N06S5L100ATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN10S7N021ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IAUC41N06S5L100ATMA1 IAUC41N06S5L100ATMA1 - 60V 41A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC41N06S5L100ATMA1 - 60V 41A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC41N06S5L100ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUC41N06S5L100ATMA1 IAUCN10S7N021ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Technology OptiMOS 5 (Trench MOSFET) OptiMOS™ 7 (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) 41 A —
Power Dissipation (PD, TC) 42 W —
On-State Resistance (RDS(on)) max 10 mOhm at VGS=10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: max VGS rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C —
Paket PG-TDSON-8-33 (TDSON-8, 5x6 mm) PG-TDSON-8-53 (SSO8, 5x6 mm) with exposed pad
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101 automotive grade) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Interconnect Copper clip (low-inductance) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 175 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM]
RDS(on) max @ VGS=10 V — 2.1 mΩ
Gate-Source Threshold (VGS(th)) typ — 3.2 V
Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10 V — 105 nC
Input Capacitance (Ciss) — 2.98 nF
Output Capacitance (Coss) — 32 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 7.153 nF
Power Dissipation (Pd) @ Tc — 217 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 °C to +175 °C
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin