IAUC41N06S5L100ATMA1 vs IAUCN10S7N021ATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IAUC41N06S5L100ATMA1 מאת Infineon ו IAUCN10S7N021ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IAUC41N06S5L100ATMA1 IAUC41N06S5L100ATMA1 - 60V 41A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC41N06S5L100ATMA1 - 60V 41A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC41N06S5L100ATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IAUC41N06S5L100ATMA1 IAUCN10S7N021ATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Technology OptiMOS 5 (Trench MOSFET) OptiMOS™ 7 (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) 41 A —
Power Dissipation (PD, TC) 42 W —
On-State Resistance (RDS(on)) max 10 mOhm at VGS=10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: max VGS rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +175C —
מארז PG-TDSON-8-33 (TDSON-8, 5x6 mm) PG-TDSON-8-53 (SSO8, 5x6 mm) with exposed pad
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel —
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101 automotive grade) —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Interconnect Copper clip (low-inductance) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 175 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM]
RDS(on) max @ VGS=10 V — 2.1 mΩ
Gate-Source Threshold (VGS(th)) typ — 3.2 V
Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10 V — 105 nC
Input Capacitance (Ciss) — 2.98 nF
Output Capacitance (Coss) — 32 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 7.153 nF
Power Dissipation (Pd) @ Tc — 217 W
טמפרטורת צומת פעולה — -55 °C to +175 °C
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר