IAUC41N06S5N102ATMA1 vs IAUC41N06S5L مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUC41N06S5N102ATMA1 بواسطة Infineon و IAUC41N06S5L بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IAUC41N06S5N102ATMA1 IAUC41N06S5L
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 5 Power-Transistor —
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 47 A (Tj) —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 42 W —
On-Resistance (RDS(on)) 10.2 mΩ at VGS=10 V, ID=20 A —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) 3.4 V (typical) —
Total Gate Charge (QG) 12.5 nC —
العلبة PG-TDSON-8-33 (SSO8) Surface Mount TDSON-8 (PG-TDSON-8)
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +175C (junction) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 (per Infineon automotive MOSFET family) AEC-Q101
حالة RoHS Compliant Compliant (Green Product)
Channel Polarity N-Channel (single) —
Part Number — IAUC41N06S5L
Technology — OptiMOS-5 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 60 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) — [DATA_NEEDED: I_D max value]
R<sub>DS(on)</sub> at V<sub>GS</sub>=10 V — 10 mΩ typical
R<sub>DS(on)</sub> at V<sub>GS</sub>=4.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V]
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) — Logic-level (around 1.7 V typical)
Maximum Operating Junction Temperature — 175 °C
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1 (up to 260 °C peak reflow)
Channel Type — N-channel, Enhancement mode
Lead-Free — Yes
Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) max — [DATA_NEEDED: V_GS max absolute rating]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر