IAUC50N08S5L096ATMA1 vs IAUC90N10S5N062ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUC50N08S5L096ATMA1 بواسطة Infineon و IAUC90N10S5N062ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
IAUC90N10S5N062ATMA1 - 100V 90A 6.2mOhm OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUC90N10S5N062ATMA1 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | IAUC50N08S5L096ATMA1 | IAUC90N10S5N062ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Series | OptiMOS 5 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 50 A (Tc) | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 200 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 9.6 mΩ max @ VGS=10V, ID=25A | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Power Dissipation (PD) | 60 W (Tc) | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55°C to +175°C | — |
| العلبة | PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) | PG-TDSON-8-34 (TDSON-8) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 qualified |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Product Family | — | OptiMOS 5 |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 90 A |
| Maximum On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 6.2 mOhm |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.8 V |
| Maximum Power Dissipation (Tc=25C) | — | 115 W |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55 C to +175 C |
| Technology | — | Trench MOSFET (OptiMOS 5, Generation 5) |
| Avalanche Rated | — | Yes (100% avalanche tested) |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | — | MSL1 (260 C peak reflow) |
| RoHS / Green Product | — | Yes (RoHS compliant, Green Product) |