IAUCN04S7L009ATMA1 vs IAUCN04S7N019GATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUCN04S7L009ATMA1 بواسطة Infineon و IAUCN04S7N019GATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
IAUCN04S7L009ATMA1 - 40V 275A 0.91mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon
IAUCN04S7L009ATMA1 ✓ نشطInfineon
IAUCN04S7N019GATMA1 - 40V OptiMOS 7 N-FET, 1.95 mOhm SSO4G | Infineon
IAUCN04S7N019GATMA1 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | IAUCN04S7L009ATMA1 | IAUCN04S7N019GATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IAUCN04S7L009ATMA1 | — |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | OptiMOS™ 7 (trench-gate) | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (Id, Tc=25°C) | 275 A (Tj) | — |
| Continuous Drain Current (Id, Tc=100°C) | 175 A | — |
| Power Dissipation (Pd, Tc=25°C) | 129 W | — |
| Rds(on) Max @ Vgs=10V | 0.91 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| العلبة | PG-TDSON-8-34 (TDSON EP) | PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 °C to +175 °C (Tj) | [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet] |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 (per family datasheet) |
| مستوى MSL | 1 | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Product Family | — | OptiMOS 7 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tj) | — | 147 A |
| On-Resistance RDS(on) typical | — | 1.95 mOhm |
| Maximum Power Dissipation (Tc) | — | 81 W |
| Substrate Compatibility | — | IMS substrates and legacy PCB |
| Lead-Free | — | Yes |
| Tape and Reel Packaging | — | Yes (per ATMA1 suffix) |