IAUCN04S7L009ATMA1 vs IAUCN04S7N019GATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUCN04S7L009ATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUCN04S7N019GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IAUCN04S7L009ATMA1 IAUCN04S7N019GATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IAUCN04S7L009ATMA1 —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology OptiMOS™ 7 (trench-gate) —
Drain-Source Voltage (Vdss) 40 V —
Continuous Drain Current (Id, Tc=25°C) 275 A (Tj) —
Continuous Drain Current (Id, Tc=100°C) 175 A —
Power Dissipation (Pd, Tc=25°C) 129 W —
Rds(on) Max @ Vgs=10V 0.91 mΩ —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
پیکیج PG-TDSON-8-34 (TDSON EP) PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +175 °C (Tj) [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet]
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 (per family datasheet)
MSL لیول 1 —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS 7
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 147 A
On-Resistance RDS(on) typical — 1.95 mOhm
Maximum Power Dissipation (Tc) — 81 W
Substrate Compatibility — IMS substrates and legacy PCB
Lead-Free — Yes
Tape and Reel Packaging — Yes (per ATMA1 suffix)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں