IAUCN04S7N019DATMA1 vs IAUCN04S7N019GATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUCN04S7N019DATMA1 بواسطة Infineon و IAUCN04S7N019GATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
IAUCN04S7N019GATMA1 - 40V OptiMOS 7 N-FET, 1.95 mOhm SSO4G | Infineon
IAUCN04S7N019GATMA1 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | IAUCN04S7N019DATMA1 | IAUCN04S7N019GATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Technology | OptiMOS 7 40V | — |
| Configuration | Dual N-Channel (array) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 160 A (Tj) | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 96 W | — |
| العلبة | PG-TDSON-8-60 (SuperSO8) | PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55 C to +175 C | — |
| Input Capacitance (Ciss, typ.) | 1.465 nF | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typ] | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 (family) | AEC-Q101 (per family datasheet) |
| ESD Protection | Yes (gate integrated) | — |
| مستوى MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020, family default) | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Product Family | — | OptiMOS 7 |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID, Tj) | — | 147 A |
| On-Resistance RDS(on) typical | — | 1.95 mOhm |
| Maximum Power Dissipation (Tc) | — | 81 W |
| Substrate Compatibility | — | IMS substrates and legacy PCB |
| Lead-Free | — | Yes |
| Tape and Reel Packaging | — | Yes (per ATMA1 suffix) |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet] |