IAUCN04S7N019DATMA1 vs IAUCN04S7N019GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN04S7N019DATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN04S7N019GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUCN04S7N019DATMA1 IAUCN04S7N019GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology OptiMOS 7 40V —
Configuration Dual N-Channel (array) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 160 A (Tj) —
Power Dissipation (PD, Tc) 96 W —
Paket PG-TDSON-8-60 (SuperSO8) PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Jant Sıcaklığı -55 C to +175 C —
Input Capacitance (Ciss, typ.) 1.465 nF —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Automotive Qualification AEC-Q101 (family) AEC-Q101 (per family datasheet)
ESD Protection Yes (gate integrated) —
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020, family default) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS 7
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 147 A
On-Resistance RDS(on) typical — 1.95 mOhm
Maximum Power Dissipation (Tc) — 81 W
Substrate Compatibility — IMS substrates and legacy PCB
Lead-Free — Yes
Tape and Reel Packaging — Yes (per ATMA1 suffix)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin