IAUCN04S7N019DATMA1 vs IAUCN04S7N019GATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IAUCN04S7N019DATMA1 توسط Infineon و IAUCN04S7N019GATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IAUCN04S7N019DATMA1 IAUCN04S7N019DATMA1 - 40V Dual N-Channel MOSFET Array | Infineon

IAUCN04S7N019DATMA1 - 40V Dual N-Channel MOSFET Array | Infineon

IAUCN04S7N019DATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IAUCN04S7N019DATMA1 IAUCN04S7N019GATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology OptiMOS 7 40V —
Configuration Dual N-Channel (array) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 160 A (Tj) —
Power Dissipation (PD, Tc) 96 W —
بسته‌بندی PG-TDSON-8-60 (SuperSO8) PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
دمای اتصال کاری -55 C to +175 C —
Input Capacitance (Ciss, typ.) 1.465 nF —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Automotive Qualification AEC-Q101 (family) AEC-Q101 (per family datasheet)
ESD Protection Yes (gate integrated) —
سطح MSL 1 (per JEDEC J-STD-020, family default) —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS 7
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 147 A
On-Resistance RDS(on) typical — 1.95 mOhm
Maximum Power Dissipation (Tc) — 81 W
Substrate Compatibility — IMS substrates and legacy PCB
Lead-Free — Yes
Tape and Reel Packaging — Yes (per ATMA1 suffix)
محدوده دمای کاری — [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت