IAUCN08S7N024TATMA1 vs IAUCN08S7L033ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUCN08S7N024TATMA1 بواسطة Infineon و IAUCN08S7L033ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IAUCN08S7L033ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IAUCN08S7N024TATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 7 Automotive OptiMOS 7
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) OptiMOS 7 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (Vds) 80 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tj 165 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 157 W —
Rds(on) Max at Vgs=10V 2.44 mOhm —
العلبة / الحالة PG-LHDSO-10-1 (SSO10T, 5x7 mm²) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Cooling Top-side cooled —
نطاق درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55°C to +175°C (TJ)
Automotive Qualification AEC-Q101 —
حالة RoHS Compliant Compliant
Gate Threshold (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss typ] —
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 3.3 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 130 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C]
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 118 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit)
العلبة — PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²)
Qualification — Automotive Grade (per Infineon datasheet header)
مستوى MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر