IAUCN08S7N024TATMA1 vs IAUCN08S7L033ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN08S7N024TATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN08S7L033ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUCN08S7N024TATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 7 Automotive OptiMOS 7
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) OptiMOS 7 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (Vds) 80 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tj 165 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 157 W —
Rds(on) Max at Vgs=10V 2.44 mOhm —
Paket / Kas PG-LHDSO-10-1 (SSO10T, 5x7 mm²) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Cooling Top-side cooled —
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55°C to +175°C (TJ)
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Gate Threshold (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss typ] —
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 3.3 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 130 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C]
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 118 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit)
Paket — PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²)
Qualification — Automotive Grade (per Infineon datasheet header)
MSL Seviyesi — 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin