IAUCN10S5L280DATMA1 vs IAUZ18N10S5L420ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUCN10S5L280DATMA1 بواسطة Infineon و IAUZ18N10S5L420ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IAUCN10S5L280DATMA1 | IAUZ18N10S5L420ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 | — |
| Configuration | Dual N-Channel MOSFET Array | Single with built-in diode |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tj | 23 A | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 38 W | — |
| العلبة | PG-TDSON-8-61 (SSO8) | PG-TSDSON-8-32 (S3O8) 3.3x3.3 mm |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualified | Yes (AEC-Q101, IAU prefix) | — |
| Technology | OptiMOS 5 Trench MOSFET | OptiMOS 5 trench |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +175C (junction) | — |
| عدد الأطراف | 8 | — |
| مستوى MSL | 1 | 1 |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Packing | Tape & Reel (T&R) | — |
| Series | — | OptiMOS 5 100V |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 18 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 42 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.7 V to 2.7 V |
| Total Gate Charge (Qg) typ. | — | 8.5 nC |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 30 W |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55 °C to +175 °C |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |