IAUCN10S5L280DATMA1 vs IAUZ18N10S5L420ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IAUCN10S5L280DATMA1 द्वारा Infineon और IAUZ18N10S5L420ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUCN10S5L280DATMA1 ✓ सक्रियInfineon
IAUZ18N10S5L420ATMA1 - 100V 18A 42mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon
IAUZ18N10S5L420ATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IAUCN10S5L280DATMA1 | IAUZ18N10S5L420ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 | — |
| Configuration | Dual N-Channel MOSFET Array | Single with built-in diode |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tj | 23 A | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 38 W | — |
| पैकेज | PG-TDSON-8-61 (SSO8) | PG-TSDSON-8-32 (S3O8) 3.3x3.3 mm |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualified | Yes (AEC-Q101, IAU prefix) | — |
| Technology | OptiMOS 5 Trench MOSFET | OptiMOS 5 trench |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +175C (junction) | — |
| पिन काउंट | 8 | — |
| MSL स्तर | 1 | 1 |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Packing | Tape & Reel (T&R) | — |
| Series | — | OptiMOS 5 100V |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 18 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 42 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.7 V to 2.7 V |
| Total Gate Charge (Qg) typ. | — | 8.5 nC |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 30 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55 °C to +175 °C |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |