IAUZ30N08S5N186ATMA1 vs IAUCN08S7N024ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUZ30N08S5N186ATMA1 بواسطة Infineon و IAUCN08S7N024ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IAUZ30N08S5N186ATMA1 | IAUCN08S7N024ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Technology | OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET (trench) | OptiMOS 7 trench |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tj) | 30 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 41 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 18.6 mΩ (typical, VGS = 10 V) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V] | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 °C to +175 °C (automotive) | -55C to +175C (typical automotive) |
| العلبة | PG-TSDSON-8-32 (5x6 mm) | PG-TDSON-8-34 (8-pin, exposed pad) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes / [DATA_NEEDED: halogen-free status] | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | Automotive OptiMOS 7 (80 V) |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 165 A |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | — | 2.4 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| تبديد القدرة (Ptot) | — | [DATA_NEEDED: Ptot @ TC=25C] |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| Typical Application | — | 48 V automotive DC-DC, motor drive, load switch |