IAUZ30N08S5N186ATMA1 vs IAUCN08S7N024ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUZ30N08S5N186ATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN08S7N024ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUZ30N08S5N186ATMA1 IAUCN08S7N024ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Technology OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET (trench) OptiMOS 7 trench
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) 30 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 41 W —
On-State Resistance (RDS(on)) 18.6 mΩ (typical, VGS = 10 V) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +175 °C (automotive) -55C to +175C (typical automotive)
Paket PG-TSDSON-8-32 (5x6 mm) PG-TDSON-8-34 (8-pin, exposed pad)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS Durumu Compliant —
Lead-Free / Halogen-Free Yes / [DATA_NEEDED: halogen-free status] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — Automotive OptiMOS 7 (80 V)
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 165 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 2.4 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Güç Tüketimi (Ptot) — [DATA_NEEDED: Ptot @ TC=25C]
RoHS Compliance — Compliant
Typical Application — 48 V automotive DC-DC, motor drive, load switch

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin