IMLT65R040M2HXTMA1 vs IGLT65R035D2ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IMLT65R040M2HXTMA1 بواسطة Infineon و IGLT65R035D2ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IMLT65R040M2HXTMA1 IGLT65R035D2ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolSiC™ G2 (2nd generation SiC trench) CoolGaN™ G5 TOLT
Technology Silicon Carbide (SiC) N-channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 650 V —
Continuous Drain Current (ID, TC) 57 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) 143 A —
On-State Resistance RDS(on) (typ, VGS=18V) 40 mΩ —
On-State Resistance RDS(on) (max, VGS=18V) 49 mΩ —
Total Gate Charge QG 28 nC —
Output Charge QOSS @ 400 V 53 nC —
Output Energy EOSS @ 400 V 7.2 µJ —
Continuous Drain Power Dissipation (PD, TC) 268 W —
Recommended Gate Drive Voltage VGS 18 V (turn-off: 0 V or negative) —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 °C to +150 °C —
العلبة PG-HDSOP-16-6 (surface mount, top-side-cooled) PG-HDSOP-16-8 (top-side cooled)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Qualification JEDEC industrial —
Packaging Tape & Reel —
Special Features Kelvin source pin, low reverse-recovery charge, hard-switching optimized —
نوع الترانزستور — N-Channel enhancement-mode GaN HEMT
Drain-Source Voltage (Vdss) — 650 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc — 47 A
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc — 154 W
On-Resistance (Rds(on)) — [DATA_NEEDED: typical Rds(on) in mohm]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)]
Input Capacitance (Ciss) at Vds=400V — 540 pF
نطاق درجة حرارة التشغيل — [DATA_NEEDED: Tj min/max]
Cooling Configuration — Top-side cooled (TOLT)
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
حالة RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Production Wafer Size — 200 mm (8 inch)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر