IMLT65R040M2HXTMA1 vs IGLT65R035D2ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IMLT65R040M2HXTMA1 bằng Infineon và IGLT65R035D2ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IMLT65R040M2HXTMA1 - 650V 57A 40mOhm CoolSiC G2 MOSFET | Infineon
IMLT65R040M2HXTMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
IGLT65R035D2ATMA1 - 650V 47A CoolGaN™ G5 Transistor | Infineon
IGLT65R035D2ATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IMLT65R040M2HXTMA1 | IGLT65R035D2ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolSiC™ G2 (2nd generation SiC trench) | CoolGaN™ G5 TOLT |
| Technology | Silicon Carbide (SiC) N-channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 650 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, TC) | 57 A | — |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) | 143 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) (typ, VGS=18V) | 40 mΩ | — |
| On-State Resistance RDS(on) (max, VGS=18V) | 49 mΩ | — |
| Total Gate Charge QG | 28 nC | — |
| Output Charge QOSS @ 400 V | 53 nC | — |
| Output Energy EOSS @ 400 V | 7.2 µJ | — |
| Continuous Drain Power Dissipation (PD, TC) | 268 W | — |
| Recommended Gate Drive Voltage VGS | 18 V (turn-off: 0 V or negative) | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55 °C to +150 °C | — |
| Hộp | PG-HDSOP-16-6 (surface mount, top-side-cooled) | PG-HDSOP-16-8 (top-side cooled) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | JEDEC industrial | — |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| Special Features | Kelvin source pin, low reverse-recovery charge, hard-switching optimized | — |
| Kiểu transitor | — | N-Channel enhancement-mode GaN HEMT |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 650 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | — | 47 A |
| Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 154 W |
| On-Resistance (Rds(on)) | — | [DATA_NEEDED: typical Rds(on) in mohm] |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)] |
| Input Capacitance (Ciss) at Vds=400V | — | 540 pF |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | [DATA_NEEDED: Tj min/max] |
| Cooling Configuration | — | Top-side cooled (TOLT) |
| Cấp MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Production Wafer Size | — | 200 mm (8 inch) |