IMLT65R040M2HXTMA1 vs IGLT65R035D2ATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IMLT65R040M2HXTMA1 מאת Infineon ו IGLT65R035D2ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IMLT65R040M2HXTMA1 IGLT65R035D2ATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolSiC™ G2 (2nd generation SiC trench) CoolGaN™ G5 TOLT
Technology Silicon Carbide (SiC) N-channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 650 V —
Continuous Drain Current (ID, TC) 57 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) 143 A —
On-State Resistance RDS(on) (typ, VGS=18V) 40 mΩ —
On-State Resistance RDS(on) (max, VGS=18V) 49 mΩ —
Total Gate Charge QG 28 nC —
Output Charge QOSS @ 400 V 53 nC —
Output Energy EOSS @ 400 V 7.2 µJ —
Continuous Drain Power Dissipation (PD, TC) 268 W —
Recommended Gate Drive Voltage VGS 18 V (turn-off: 0 V or negative) —
טמפרטורת צומת פעולה -55 °C to +150 °C —
מארז PG-HDSOP-16-6 (surface mount, top-side-cooled) PG-HDSOP-16-8 (top-side cooled)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Qualification JEDEC industrial —
Packaging Tape & Reel —
Special Features Kelvin source pin, low reverse-recovery charge, hard-switching optimized —
סוג טרנזיסטור — N-Channel enhancement-mode GaN HEMT
Drain-Source Voltage (Vdss) — 650 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc — 47 A
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc — 154 W
On-Resistance (Rds(on)) — [DATA_NEEDED: typical Rds(on) in mohm]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)]
Input Capacitance (Ciss) at Vds=400V — 540 pF
טווח טמפרטורת פעולה — [DATA_NEEDED: Tj min/max]
Cooling Configuration — Top-side cooled (TOLT)
רמת MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
סטטוס RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Production Wafer Size — 200 mm (8 inch)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר