IMLT65R040M2HXTMA1 vs IGLT65R035D2ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IMLT65R040M2HXTMA1 توسط Infineon و IGLT65R035D2ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IMLT65R040M2HXTMA1 IGLT65R035D2ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolSiC™ G2 (2nd generation SiC trench) CoolGaN™ G5 TOLT
Technology Silicon Carbide (SiC) N-channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 650 V —
Continuous Drain Current (ID, TC) 57 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) 143 A —
On-State Resistance RDS(on) (typ, VGS=18V) 40 mΩ —
On-State Resistance RDS(on) (max, VGS=18V) 49 mΩ —
Total Gate Charge QG 28 nC —
Output Charge QOSS @ 400 V 53 nC —
Output Energy EOSS @ 400 V 7.2 µJ —
Continuous Drain Power Dissipation (PD, TC) 268 W —
Recommended Gate Drive Voltage VGS 18 V (turn-off: 0 V or negative) —
دمای اتصال کاری -55 °C to +150 °C —
بسته‌بندی PG-HDSOP-16-6 (surface mount, top-side-cooled) PG-HDSOP-16-8 (top-side cooled)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Qualification JEDEC industrial —
Packaging Tape & Reel —
Special Features Kelvin source pin, low reverse-recovery charge, hard-switching optimized —
نوع ترانزیستور — N-Channel enhancement-mode GaN HEMT
Drain-Source Voltage (Vdss) — 650 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc — 47 A
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc — 154 W
On-Resistance (Rds(on)) — [DATA_NEEDED: typical Rds(on) in mohm]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)]
Input Capacitance (Ciss) at Vds=400V — 540 pF
محدوده دمای کاری — [DATA_NEEDED: Tj min/max]
Cooling Configuration — Top-side cooled (TOLT)
سطح MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
وضعیت RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Production Wafer Size — 200 mm (8 inch)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت