IMLT65R040M2HXTMA1 vs IGLT65R035D2ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IMLT65R040M2HXTMA1 بذریعہ Infineon اور IGLT65R035D2ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IMLT65R040M2HXTMA1 IGLT65R035D2ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolSiC™ G2 (2nd generation SiC trench) CoolGaN™ G5 TOLT
Technology Silicon Carbide (SiC) N-channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 650 V —
Continuous Drain Current (ID, TC) 57 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) 143 A —
On-State Resistance RDS(on) (typ, VGS=18V) 40 mΩ —
On-State Resistance RDS(on) (max, VGS=18V) 49 mΩ —
Total Gate Charge QG 28 nC —
Output Charge QOSS @ 400 V 53 nC —
Output Energy EOSS @ 400 V 7.2 µJ —
Continuous Drain Power Dissipation (PD, TC) 268 W —
Recommended Gate Drive Voltage VGS 18 V (turn-off: 0 V or negative) —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 °C to +150 °C —
پیکیج PG-HDSOP-16-6 (surface mount, top-side-cooled) PG-HDSOP-16-8 (top-side cooled)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Qualification JEDEC industrial —
Packaging Tape & Reel —
Special Features Kelvin source pin, low reverse-recovery charge, hard-switching optimized —
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel enhancement-mode GaN HEMT
Drain-Source Voltage (Vdss) — 650 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc — 47 A
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc — 154 W
On-Resistance (Rds(on)) — [DATA_NEEDED: typical Rds(on) in mohm]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)]
Input Capacitance (Ciss) at Vds=400V — 540 pF
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — [DATA_NEEDED: Tj min/max]
Cooling Configuration — Top-side cooled (TOLT)
MSL لیول — [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS اسٹیٹس — Compliant
Lead-Free — Yes
Production Wafer Size — 200 mm (8 inch)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں