IPB020N10N5LFATMA1 vs IAUC120N06S5L011ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPB020N10N5LFATMA1 بواسطة Infineon و IAUC120N06S5L011ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPB020N10N5LFATMA1 IAUC120N06S5L011ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 Linear FET OptiMOS 5 60 V (S5 generation)
Technology N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) max 100 V —
Continuous Drain Current (Tc) 176 A —
Silicon-Limited Drain Current 289 A —
Package-Limited Drain Current 120 A —
Pulsed Drain Current (VDS=56V, tp=10ms) 10.2 A —
On-State Resistance RDS(on) max 2.0 mΩ —
Total Power Dissipation (Tc) 313 W —
العلبة PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL, 5 mm × 6 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 °C to +175 °C —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.5 V —
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Marking Code 020N10LF —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 60 V
Gate-Source Voltage (V_GS) — [DATA_NEEDED: max V_GS rating]
Continuous Drain Current (I_D) — 310 A (Tj), 120 A marketing
R_DS(on) max — [DATA_NEEDED: R_DS(on) at V_GS = 4.5 V]
Power Dissipation (P_D) — 188 W at T_C = 25 °C
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Avalanche Energy Rated — Yes (EAS)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر